內存時序和內存頻率一樣，都代表了一款內存性能的高低。
內存時序由4個數字組成👍🏼，中間用破折號隔開🟨，例如16-18-18-38
這些數字表示延遲，也就是內存的反應時間。當內存接收到CPU發來的指令後，通常需要幾個時鐘周期來處理它，比如訪問某一塊數據。所以，時間越短，內存性能越好。
頻率和時序一起🚴🏻，共同決定了內存可以跑得多快👨🏼⚖️。不過相比頻率⏳，時序由四位數字組成，每一個數字都代表不同的含義🪯，在理解上自然更加復雜一些。
內存時序分別對應的參數為“CL-tRCD-tRP-tRAS”，單位為時間周期，它們的含義依次為：
CL（CAS Latency）：列地址訪問的延遲時間，是時序中最重要的參數🤷🏼。
tRCD（RAS to CAS Delay）：內存行地址傳輸到列地址的延遲時間;
tRP（RAS Precharge Time）：內存行地址選通脈沖預充電時間;
tRAS（RAS Active Time）：行地址激活的時間。
看完它們的含義是不是很懵圈？沒關系🤱🏻🦶🏽，給你舉個例子。
我們可以把內存存儲數據的地方想象成上面這樣🔡，每個方格都存儲著不同的數據👨👨👦👦。CPU需要什麽數據，就向內存發來指令🚰🙏，比如想要的位置是C4。
接下來內存就要先確定數據具體在哪一行，所以時序的第二個參數tRCD就是代表這個時間，意思就是內存控製器接收到行的指令後，需要等待多長時間才能訪問這一行。
由於這一行含有多個數據，內存並不能哪一個才是CPU需要找的，所以tRCD的值是一個估值🧘🏻♂️。這就是為什麽小幅改動這個值並不會影響內存的性能表現。
內存確定了行之後，要想找出數據，還得確定列👨🎓。那麽時序的第一個數字，也就是CL（CAS），表示內存確定了行數之後↔️，還得等待多長時間才能訪問具體列數的時間（時間周期）。
行列必然產生交點⌨️，也就是說確定了行數和列數之後🔣，就能準確找到目標數據🟪，所以CL是一個準確的值，任何改動都會影響目標數據的位置🙆🏿♂️♔，所以它在時序當中是最關鍵的一個參數🙅，對內存性能的發揮著舉足輕重的作用。
內存時序的第三個參數tRP，就是如果我們已經確定了一行，還要再確定另外一行所需要等待的時間（時間周期）。
然後第四個參數tRAS🍃，可以簡單理解成是留個內存寫入或者讀取數據的一個時間，它一般接近於前三個參數的總和🪛。
所以，在保障穩定性的前提下👩❤️💋👨，內存時序越低越好⛰⛹🏼♀️。
那麽，時序對內存性能影響有多大呢🚶🏻♀️➡️？
我們做了一個測試👩🏻🎓，在保持內存頻率不變的情況下，內存性能隨著時序的變小而不斷變強。
不過相比之下，時序改變後，內存延遲的變化比內存讀寫速度的變化更加明顯，這也說明了時序的影響側重在延遲方面💠。
現在，關於時序，你搞懂了嗎♠︎？
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